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富加鎵業(yè)亮相2026半導體新材料發(fā)展(德陽)大會,董事長齊紅基受邀作專題報告

發(fā)布時間:2026-04-24

杭州富加鎵業(yè)科技有限公司攜展品亮相2026半導體新材料發(fā)展(德陽)大會,董事長齊紅基受邀作題為《第四代半導體氧化鎵產(chǎn)業(yè)化之淺見》專題報告。

4月15日至18日,由中國電子材料行業(yè)協(xié)會半導體材料分會主辦的2026半導體新材料發(fā)展(德陽)大會在四川省德陽市盛大舉行。本次大會以"引領(lǐng)寬禁帶 筑基新生態(tài)"為主題,匯聚了全國頂尖專家學者、產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)軍企業(yè)及創(chuàng)新力量。杭州富加鎵業(yè)科技有限公司(以下簡稱"富加鎵業(yè)")攜展品亮相,董事長齊紅基研究員受邀作題為《第四代半導體氧化鎵產(chǎn)業(yè)化之淺見》專題報告,與行業(yè)同仁共探氧化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展之路。


NEWS

富加鎵業(yè)全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相,展現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)軍實力


本次會議上,富加鎵業(yè)系統(tǒng)展示了在氧化鎵單晶生長-外延-器件流片全領(lǐng)域的最新產(chǎn)業(yè)化成果,涵蓋多尺寸氧化鎵襯底、高品質(zhì)同質(zhì)外延片,以及核心晶體生長裝備,全方位呈現(xiàn)了公司從設(shè)備、材料到外延器件的垂直整合能力,吸引科研機構(gòu)、下游器件廠商及行業(yè)專家的高度關(guān)注。


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董事長齊紅基作專題報告《第四代半導體氧化鎵產(chǎn)業(yè)化之淺見》


在第四代半導體專題研討環(huán)節(jié),齊紅基研究員受邀作專題報告《第四代半導體氧化鎵產(chǎn)業(yè)化之淺見》。他結(jié)合多年深耕氧化鎵領(lǐng)域的研究與產(chǎn)業(yè)化實踐,從材料制備技術(shù)路線、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同、市場應用場景等多個維度,系統(tǒng)分享了他對氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的深度思考與見解。


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齊紅基研究員著重指出,氧化鎵材料憑借其超寬禁帶、高擊穿電場等優(yōu)異特性,在高性能功率器件領(lǐng)域具有廣闊的應用前景,并明確列入國家“十五五”發(fā)展規(guī)劃。然而,從實驗室走向大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化,仍面臨大尺寸單晶生長、外延工藝穩(wěn)定性控制及器件制造工藝配套等多重挑戰(zhàn)。他結(jié)合富加鎵業(yè)在12英寸單晶突破、智能長晶、同質(zhì)外延,以及SBD流片與器件驗證等方面的工作和成果,分享了在氧化鎵產(chǎn)業(yè)化方面的探索與成功實踐,為行業(yè)產(chǎn)業(yè)化路徑的選擇提供了有益參考。


NEWS

筑基新生態(tài),攜手創(chuàng)未來


此次2026半導體新材料發(fā)展(德陽)大會,為行業(yè)搭建了高水平的交流與合作平臺。未來,富加鎵業(yè)將繼續(xù)秉承"讓世界用上好材料"的愿景,持續(xù)深耕氧化鎵核心技術(shù),加快推進產(chǎn)業(yè)化進程,期待與更多產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴攜手并進,共同推動第四代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)的健康發(fā)展。


產(chǎn)品介紹


01

氧化鎵設(shè)備:

公司研制了國際上首臺具備“一鍵長晶”功能的EFG設(shè)備,可以滿足2-8英寸晶體生長需求,目前獲得國內(nèi)授權(quán)專利6項,國際授權(quán)專利4項,可提供設(shè)備及配套工藝包。公司自行研制了全自動 VB 晶體生長設(shè)備,并在國內(nèi)率先突破了12英寸單晶生長技術(shù)瓶頸,實現(xiàn)了大尺寸 VB 法單晶制備。目前獲得國內(nèi)授權(quán)專利6項,國際授權(quán)專利4項,可根據(jù)客戶需求提供VB設(shè)備及工藝包。

02

氧化鎵單晶襯底:

作為中國最早投身氧化鎵單晶生長研究的先行者與業(yè)界領(lǐng)先的供應商,我們致力于為全球客戶提供卓越的氧化鎵單晶襯底。我們的產(chǎn)品線覆蓋2-8英寸26種常規(guī)性氧化鎵襯底產(chǎn)品,并能夠提供尺寸,電學性能與晶向的定制化方案,滿足高質(zhì)量外延片研發(fā)及批量制備需求。

03

氧化鎵外延片:

基于成熟的 MOCVD(金屬有機化學氣相沉積)與 MBE(分子束外延)技術(shù)平臺,我們的產(chǎn)品線覆蓋 2-6 英寸等15種常規(guī)性氧化鎵外延片產(chǎn)品,及定制化 MBE 氧化鎵外延片產(chǎn)品,為客戶提供 “襯底-外延”一體化解決方案。外延層生長過程采用精準的工藝控制體系,可根據(jù)客戶需求定制外延層厚度、摻雜濃度、組分均勻性等關(guān)鍵參數(shù),能夠滿足不同功率等級、不同功能類型的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求。






企業(yè)簡介

杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

公司成立于2019年12月31日,公司以“讓世界用上好材料”為愿景,開展超寬禁帶半導體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作,核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法(VB法)及導模法(EFG法)晶體生長裝備等,為材料研制提供系統(tǒng)性解決方案,加速超寬禁帶氧化鎵產(chǎn)業(yè)全鏈路貫通,推進氧化鎵材料在功率器件、微波射頻器件及光電探測等領(lǐng)域應用。公司在氧化鎵領(lǐng)域發(fā)展方面取得的系列重要成果已獲CCTV1、CCTV2、《人民日報》、新華網(wǎng)、《中國證券報》、澎湃新聞等知名媒體專題宣傳報道。企業(yè)榮譽匯總: 2022年獲得浙江省科技型中小企業(yè);2023年獲得國家高新技術(shù)企業(yè);2024年獲得杭州市企業(yè)高新技術(shù)研發(fā)中心及浙江省專精特新中小企業(yè);2025年獲得 ISO9001質(zhì)量體系認證(編號:20225Q20294R0M);2024年度杭州市“新雛鷹”企業(yè);在氧化鎵領(lǐng)域,正牽頭起草氧化鎵領(lǐng)域首個國家標準,并承擔了國家發(fā)改委項目1項,國家工信部項目1項,參與了國家自然科學基金委、浙江省、上海市等國家及省部級項目3項。另外,獲得國際專利授權(quán)14項(美國 6 項,日本7項,歐洲1項),國內(nèi)專利授權(quán)42項,“富加鎵業(yè)”商標認證注冊3項,軟件著作權(quán)(“一鍵長晶”控制軟件)5項。