4月2日，上海市寬禁帶與超寬禁帶半導體材料重點實驗室（以下簡稱實驗室）學術委員會成立暨第一次會議在上海臨港召開。西安電子科技大學郝躍院士、浙江大學楊德仁院士、南京大學祝世寧院士等學術委員會專家，以及上海市科委、臨港新片區(qū)相關負責同志、上海天岳半導體材料科技股份有限公司（以下簡稱上海天岳）、中國科學院上海光學精密機械研究所（以下簡稱上海光機所）及科研骨干代表參加會議。

       會上，上海市科學技術委員會副主任屈煒、上海臨港新片區(qū)綜合黨委書記朱旭明、天岳先進董事長宗艷民、上海光機所陳衛(wèi)標書記先后致辭，歡迎各位委員、同行專家，對實驗室建設及學術委員會成立表示祝賀，并簡要介紹了實驗室的戰(zhàn)略定位與發(fā)展目標。

       實驗室負責人圍繞建設背景、發(fā)展定位、研究方向及重點任務作專題匯報。與會專家圍繞碳化硅、氧化鎵、金剛石材料及器件等方向作專題報告，介紹相關領域最新研究進展與產(chǎn)業(yè)應用情況。此外，圍繞實驗室發(fā)展定位、研究方向凝練、關鍵技術攻關及產(chǎn)學研協(xié)同等開展深入研討，與會專家提出了系列建設性意見建議。

       實驗室將在學術委員會指導下，持續(xù)加強基礎研究和關鍵核心技術攻關，促進科技成果轉(zhuǎn)化與高層次人才集聚，努力建設國際一流的寬禁帶與超寬禁帶半導體材料研究平臺，為提升我國半導體領域創(chuàng)新能力提供有力支撐。