2026年5月14日，杭州，國際半導體與集成電路產業(yè)創(chuàng)新展覽會（簡稱“長芯展”）現場。杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱“富加鎵業(yè)”）憑借在超寬禁帶半導體氧化鎵領域的硬核突破，一舉榮膺 “半導體材料技術創(chuàng)新獎”。這不僅是對富加鎵業(yè)近年來卓越成就的權威認可，更是對“富加速度”最響亮的注解。

氧化鎵產業(yè)發(fā)展，跑出“富加速度”

2019年

——富加鎵業(yè)成立，目標清晰而堅定：打通氧化鎵全產業(yè)鏈，推動其在功率器件、微波射頻、光電探測等領域規(guī)?；瘧谩?/span>

2021年

——率先布局人工智能輔助單晶生長研究，搶占國際專利高地，已獲美國、日本及歐盟授權國際專利14項。

2022年

——同時布局MOCVD與MBE外延技術，成為國內唯一能提供MBE外延片產品的單位；同年，“一鍵長晶”技術及裝備取得突破，2024年登上CCTV1，為產業(yè)落地打下堅實基礎。

2023

——率先引入坩堝下降法（VB法）生長氧化鎵單晶，將技術路線從單一導模法拓展至雙法并行。

2024年

——率先生長出國內第一顆導模法（EFG）6英寸導電型單晶；連續(xù)實現VB法3英寸、4英寸氧化鎵單晶生長突破——均為國內首次；開工建設國內首條年產10000片6/8英寸氧化鎵單晶及外延產線。

2025年

——國際上最大的VB法6英寸、8英寸氧化鎵單晶相繼出爐；MOCVD同質外延技術取得重大突破，制備出厚度超10μm的外延片，遷移率達181.6 cm2/V·s，國際領先；牽頭起草首個氧化鎵領域國家標準《氧化鎵單晶拋光片》。

2026年

——全球第一顆12英寸氧化鎵單晶橫空出世；國內首次聯合下游用戶推出芯片級封裝測試的氧化鎵二極管器件；自主研發(fā)的同質外延片助力九峰山實驗室研制出擊穿電壓超9000V的氧化鎵橫向MOSFET器件，刷新世界紀錄！