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氧化鎵襯底
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氧化鎵晶錠
氧化鎵外延片
氧化鎵流片
氧化鎵設(shè)備
VB襯底
利用垂直布里奇曼法(VB)生長(zhǎng)的4英寸單晶晶圓(100)
關(guān)鍵指標(biāo)
1.雙晶搖擺半高寬:≤350"
2.晶面偏差:<±1°
3.粗糙度:Ra≤1nm